半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：佐藤一雄 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 日向寺雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233009
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060720
特許番号：特許第3609661号
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化物半導体からなるコンタクト層と、前記コンタクト層の表面に接触して設けられたp側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記コンタクト層は、バンドギャップの大きい窒化物半導体層とバンドギャップの小さい窒化物半導体層とを交互に積層させた超格子構造を有し、p型ドーパントが前記バンドギャップの大きい窒化物半導体層に選択的にドープされており、前記バンドギャップの大きい窒化物半導体層は、AlGaNからなり、前記バンドギャップの小さい窒化物半導体層は、GaNからなり、p型ドーパントが前記AlGaNに選択的にドープされていることを特徴とする、半導体発光素子。

IPC (2件)：