半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278182
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102483
特許番号：特許第4480818号
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】配線基板上に実装される半導体素子と、前記配線基板内に配置され、この配線基板を厚さ方向に貫通して設けられた第1の熱伝導部材と、この第1の熱伝導部材と前記半導体素子との間に設けられ、前記半導体素子と直接接合して前記半導体素子の面積と同一の面積で形成された熱拡散板と、この熱拡散板と前記第1の熱伝導部材とを熱的に接続し、前記半導体素子の面積と同一若しくはそれ以上の面積を有する第2の熱伝導部材を設けてなり、前記熱拡散板と前記第2の熱伝導部材は、導電性銀ペースト材により接続され、前記第1の熱伝導部材と前記第2の熱伝導部材は、半田により接続され、前記半田と前記導電性銀ペースト材は、前記半導体素子とほぼ同程度の熱伝導率を有し、前記導電性銀ペースト材は、導電性を有する熱硬化性の材料であり、前記第2の熱伝導部材と前記熱拡散板は、前記半導体素子よりも熱伝導率の高い材料であるとともに、前記半導体素子、前記第2の熱伝導部材、前記熱拡散板の各々の厚さが、前記熱拡散板が最も薄く、前記第2の熱伝導部材が最も厚い構成であり、前記半導体素子は、主面とは反対側の裏面に前記熱拡散板が直接接合して形成されたGaAsの化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の主面に形成されたヘテロバイポーラトランジスタと、前記ヘテロバイポーラトランジスタのエミッタ電極と電気的に接続されたエミッタ配線とを有し、エミッタ配線は、前記化合物半導体基板に形成された貫通孔を通して前記熱拡散板と電気的に接続され、前記第1の熱伝導部材の裏面まで電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ( 200 6.01) , H01L 23/36 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/12 J , H01L 23/36 C

引用特許：

出願人引用 (9件)

基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229785 出願人：株式会社東芝
電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232643 出願人：株式会社東芝
特許第2699929号

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審査官引用 (15件)

特開昭63-017585
基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229785 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003543 出願人：日本電気株式会社

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