特許
J-GLOBAL ID：201103072281228093
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064398
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270582
特許番号：特許第3496760号
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属膜と、絶縁膜と、反射防止膜と、パターン形成された感光性樹脂膜とが順に積層された部分を有する積層体が、反応室内に配置されたプラズマエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記金属膜のエッチングに用いられる、前記絶縁膜と前記反射防止膜とによるマスクを形成するための、(a)前記プラズマエッチング装置の反応室内に、フロロカーボンガスを含む第1のエッチングガスを供給してプラズマを生成し、生成した前記プラズマによって前記感光性樹脂膜のパターンに従って前記反射防止膜をエッチングすると共に、前記エッチングによって生じた反応生成物を前記反応室の壁面に付着させる工程と、(b)前記プラズマエッチング装置の反応室内に、フロロカーボンガスを含む第2のエッチングガスを供給してプラズマを生成し、生成した前記プラズマによって前記反射防止膜のパターンに従って前記絶縁膜をエッチングして前記金属膜を露出させ、その際、前記第2のエッチングガスの滞在時間を250ms以下に設定して、前記エッチングによる前記金属膜の露出によって削れた前記金属膜の一部を前記第2のエッチングガスと共に前記反応室から排出し、更に前記反応室の壁面に付着した前記反応生成物を分解させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/302 104 C
, H01L 21/88 D
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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