特許
J-GLOBAL ID：201103075295031763
N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533356
特許番号：特許第3987796号
出願日： 2001年10月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化ケイ素層と当該炭化ケイ素層上の酸化物層とを備えている炭化ケイ素構造の製造方法であって、
1100°Cよりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルと、少なくとも11秒のN2Oの初期滞留時間をもたらす流量プロファイルと、を用いて、N2Oを含む環境中で、炉心管の中で既存の酸化物層をアニールすることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/316 P
, H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 G
