特許
J-GLOBAL ID：201103076608075712
トレンチ側壁に酸化物層を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127022
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026143
特許番号：特許第3683829号
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板に形成されたトレンチの側壁に酸化物層を形成する方法であって、 (a)シリコン基板にトレンチを形成する工程と、 (b)前記トレンチの側壁の少なくとも一部を覆うシリコン窒化物からなる第1の障壁膜を形成する工程と、 (c)前記第1の障壁膜を覆うアモルファス・シリコン層を形成する工程と、 (d)前記アモルファス・シリコン層を酸化して酸化物層を形成する工程と、 を備えた方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/10 625 A
, H01L 27/10 671 B
