特許
J-GLOBAL ID:201103076785005589
縦型窒化インジウムガリウムLED
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 沖本 一暁
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-575174
特許番号:特許第4405085号
出願日: 1999年09月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 導電性炭化珪素基板(11);
InGaN量子井戸(12);
該基板と該量子井戸との間に導電性緩衝層(13);及び
該量子井戸の各表面上にそれぞれドーピングされていない窒化ガリウム層(14,15)
を含み、
該緩衝層と該ドーピングされていない窒化ガリウム層との間に、ドーピングされた窒化ガリウム層(20);
該基板及び該緩衝層から反対側にある、該量子井戸上の該ドーピングされていない窒化ガリウム層の表面上にあるドーピングされていない窒化アルミニウムガリウム層(21);
及び
該ドーピングされていない窒化アルミニウムガリウム層の上にあるドーピングされた窒化アルミニウムガリウム層(22);及び
縦型配向のオーミックコンタクト(16,17)
を特徴とする、
縦型発光ダイオード。
IPC (3件):
H01L 33/06 ( 201 0.01)
, H01L 33/12 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (3件):
H01L 33/00 112
, H01L 33/00 140
, H01L 33/00 186
引用特許:
審査官引用 (10件)
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発光素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-055221
出願人:三洋電機株式会社
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半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-299404
出願人:豊田合成株式会社
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-039646
出願人:株式会社東芝
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半導体装置および半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-120281
出願人:三洋電機株式会社
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-299219
出願人:日亜化学工業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-002546
出願人:日亜化学工業株式会社
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特許第2576819号
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-018275
出願人:日亜化学工業株式会社
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特許第2576819号
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化合物半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-206362
出願人:株式会社東芝
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