タングステン配線半導体用洗浄剤

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲葉良幸 , 大貫敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-017772
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159658
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】研磨剤由来の研磨粒子残渣の除去性や絶縁膜上の金属残渣の除去性に優れかつ、タングステン配線のタングステン腐食抑制性能に優れたタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】有機アミン(A)、第4級アンモニウムヒドロキシド(B)、キレート剤(C)および水(W)を必須成分とし、pHが7.0〜14.0であることを特徴とするタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

タングステンまたはタングステン合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、有機アミン(A)、第4級アンモニウムヒドロキシド(B)、キレート剤(C)、および水(W)を必須成分とし、pHが7.0〜14.0であることを特徴とする半導体工程用洗浄剤(D)。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , C11D 7/32 , C11D 17/08

FI (4件)：

H01L21/304 647A , C11D7/32 , C11D17/08 , H01L21/304 622Q

Fターム (28件)：

4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DB01 , 4H003EB07 , 4H003EB13 , 4H003EB14 , 4H003EB16 , 4H003EB19 , 4H003ED02 , 4H003FA21 , 4H003FA28 , 5F157AA70 , 5F157AA96 , 5F157AC01 , 5F157BC02 , 5F157BC03 , 5F157BC07 , 5F157BC54 , 5F157BC55 , 5F157BD03 , 5F157BE12 , 5F157BF38 , 5F157BF39 , 5F157BF44 , 5F157BF59 , 5F157BF73 , 5F157DB03 , 5F157DB57

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101039 出願人：株式会社カイジョー
銅配線半導体用洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-086671 出願人：三洋化成工業株式会社
CMP後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-502234 出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

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