発光素子用基板の清浄方法、発光素子の製造方法および発光素子用基板の清浄装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224374
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244016
特許番号：特許第3285014号
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】その上に第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を順に形成すべきZnSe基板を準備する工程と、前記第1導電型クラッド層を形成するに先立ち、前記ZnSe基板の表面に、酸素よりも酸化力の強い酸化雰囲気を接触させ、該表面に膜厚1-2nmの酸化膜を形成する工程と、前記表面に形成された前記酸化膜を、H2ラジカルで除去する工程と、を備えた発光素子用基板の清浄方法。

IPC (3件)：