半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀城之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243825
特許番号：特許第3279278号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化学的機械的研磨による研磨量に影響を与える程度にパターン疎密の差が大きい場合であってもゲート電極エッチング時に残渣が発生せず、かつトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法であって、トレンチを形成する工程と、前記トレンチ上に形成されたトレンチ膜を化学的機械的研磨処理する工程と、前記化学的機械的研磨処理後にパターン密度の高い領域のみに選択的にエッチングを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：