特許

J-GLOBAL ID：201103082676658912

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法

発明者： 水谷 一良 ,  渋谷 明規
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052386
公開番号（公開出願番号）：特開2011-186248
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】 半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度(DOF)に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)特定構造を有する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂感光性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (C)2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂 を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08L 33/14 ,  C08L 101/02

FI (7件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08L33/14 ,  C08L101/02

Fターム (93件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096FA10 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF20P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN08P ,  2H125AN37P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN56P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN63P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J002BD12X ,  4J002BG03W ,  4J002BG07W ,  4J002CP13X ,  4J002EQ016 ,  4J002EV206 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EW176 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA02P ,  4J100BA02S ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA15R ,  4J100BA15S ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BA51S ,  4J100BB18T ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04T ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-277699   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-270085   出願人：東京応化工業株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-180211   出願人：富士フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-135839   出願人：富士フイルム株式会社
• 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-229445   出願人：東京応化工業株式会社
• 化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-003339   出願人：東京応化工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-243981   出願人：信越化学工業株式会社