半導体レーザダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鮫島睦 , 田村恭生 , 言上惠一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265428
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094218
特許番号：特許第4402775号
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 p型クラッド層とn型クラッド層の間に活性層を有し、上記p型クラッド層内に、成長を中断した際の成長表面を保護する表面保護層またはエッチングを止めるためのエッチングストッパー層であって該p型クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する半導体層を有する半導体レーザダイオードにおいて、上記半導体層の伝導帯の下端が、上記半導体レーザダイオードを動作させた時のエネルギーダイアグラムにおいて、上記n型クラッド層のフェルミレベルを延長したエネルギーレベルに実質的に一致、又は該エネルギーレベル以上であることを特徴とする半導体レーザダイオード。

IPC (1件)：