特許
J-GLOBAL ID：201103089362134832
半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置搭載システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260198
特許番号：特許第3848004号
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 不揮発性の正規のメモリセルアレイの中の不良なメモリセルの不良情報を一時的に保持するレジスタと、
前記不良なメモリセルと置換される冗長メモリセルと、
前記レジスタに保持された不良情報に基づいて前記不良なメモリセルを前記冗長メモリセルに置換制御する制御回路と、
前記正規のメモリセルアレイとカラムを共有して前記正規のメモリセルアレイと同一のメモリセルが拡張され、前記レジスタに保持された不良情報を前記不良なメモリセルと同一のカラムに記憶するプログラムアレイと、
前記レジスタに保持された不良情報を前記プログラムアレイに書き込む書き込み回路と、
前記プログラムアレイに記憶された不良情報を前記レジスタに読み出す読み出し回路と
を有することを特徴とする不揮発性の半導体メモリ装置。
IPC (5件)：
G11C 29/04 ( 200 6.01)
, G06F 12/16 ( 200 6.01)
, G11C 11/413 ( 200 6.01)
, G11C 11/401 ( 200 6.01)
, G11C 16/06 ( 200 6.01)
G11C 29/00 603 J
, G06F 12/16 310 Q
, G11C 11/34 341 C
, G11C 11/34 371 D
, G11C 17/00 639 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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