特許
J-GLOBAL ID：201103093713070825
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311164
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124305
特許番号：特許第4033657号
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された半導体素子とを備え、
前記半導体基板は、主表面を有する単結晶シリコン層と、
前記単結晶シリコン層内に形成されたシリコン酸化物層とを含み、
前記シリコン酸化物層は、前記主表面からの距離が相対的に大きい第1の頂面と、前記主表面からの距離が相対的に小さい第2の頂面とを含み、
前記半導体素子は、前記主表面と前記第1の頂面との間に形成された量子細線または量子ドットである、半導体装置の製造方法であって、
前記単結晶シリコン層を含む前記半導体基板の主表面にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記単結晶シリコン層に酸素イオンを注入した後、熱処理して前記単結晶シリコン層内にシリコン酸化物層を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/762 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/266 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 21/76 D
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 618 D
, H01L 29/78 621
, H01L 27/12 E
, H01L 29/06 601 D
, H01L 29/06 601 L
, H01L 29/78 626 C
, H01L 21/76 R
, H01L 29/78 627 A
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (12件)
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