特許
J-GLOBAL ID：201103094649285495
プラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049442
特許番号：特許第3668079号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 容器部材により形成され、プラズマを用いた処理を行なう処理室と、 前記処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、 前記処理室の内側において前記容器部材に固定された導電体からなる台座と、 前記台座に固定され、前記マイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを前記処理室に供給するためのガス導入孔を有するシャワープレートと、 前記台座に埋め込まれるように配置され、前記マイクロ波導入手段から前記シャワープレートへマイクロ波を伝送する誘電体板とを備え、 前記台座と前記シャワープレートとの間であって、前記マイクロ波導入手段、前記誘電体板および前記シャワープレートを含むマイクロ波の伝送経路以外の領域において、前記ガス導入孔に前記反応ガスを供給するガス導入間隙部を形成するように、前記シャワープレートは前記台座に固定されている、プラズマプロセス装置。
IPC (6件)：
C23C 16/511
, C23C 16/455
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
, H01L 21/205
C23C 16/511
, C23C 16/455
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 B
, H01L 21/205
