特許
J-GLOBAL ID：201103096525854338
半導体素子のキャパシタ製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 小原 健志
, 中川 博司
, 舘 泰光
, 斎藤 健治
, 藤井 淳
, 関 仁士
, 中野 睦子
, 眞下 晋一
, 井内 龍二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050699
特許番号：特許第4106513号
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に下部電極用ルビジウム膜を形成するステップと、
前記ルビジウム膜上にアモルファスTaON薄膜を形成するステップと、
前記アモルファスTaON薄膜が形成された全体構造物を1次熱処理に供するステップと、
前記アモルファスTaON薄膜の結晶化のために、前記全体構造物を2次熱処理に供するステップと、
結晶化された前記TaON薄膜上に上部電極用膜を形成するステップとを含み、
前記1次熱処理が、O3ガスとNH3ガスとをプラズマ励起させてアモルファスTaON薄膜を処理する工程であることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
