特許
J-GLOBAL ID：201103098097157107

半導体素子及び半導体素子の製造方法

発明者：
田中 明

田中 明 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-057175
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192773
出願日： 2010年03月15日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】基板を薄板化しても基板の反りを抑制でき、耐熱性、機械特性に優れた絶縁膜で保護された半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の一方の面に第1表面電極2を形成し、第1表面電極2が形成された基板の表面に、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる1種以上のアシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも1モル%以上多く反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を塗布し、イミド化して絶縁膜3を形成し、第1表面電極2及び絶縁膜3が少なくとも形成された基板1を、第1表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の少なくとも一方に、第1表面電極と、該第1表面電極の少なくとも一部を被覆する絶縁膜とが形成された半導体素子であって、 前記絶縁膜は、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる1種以上のアシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも1モル%以上多く反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物をイミド化して得られる、熱膨張率が2〜24ppm/°Cのポリイミド膜であることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (3件)：
H01L21/312 B ,  H01L21/90 S ,  H01L21/312 N
Fターム (42件)：
5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033MM08 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F058AA02 ,  5F058AB10 ,  5F058AC02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03
引用特許：
審査官引用 (12件)
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