特許
J-GLOBAL ID：201103098142174255

半導体装置およびそれを備えた高周波増幅器

発明者：
長谷川 正智

長谷川 正智 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274931
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086600
特許番号：特許第4077617号
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 出力電極と、接地電極と、上記出力電極と上記接地電極との間に設けられた入力電極とを有する半導体素子と、 上記接地電極に接続する接地電極配線と、 上記接地電極配線および上記入力電極を跨ぐように設けられ、上記出力電極に接続する出力電極配線とを備え、 上記入力電極と上記出力電極配線との重なり合う領域の全てにおいて、上記接地電極配線が上記入力電極を覆うように上記入力電極と上記出力電極配線との間に位置し、 上記半導体素子は、ベース層と、コレクタ層と、上記ベース層および上記コレクタ層よりも上層に配置されたエミッタ層とを有するエミッタトップ縦型構造バイポーラトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 27/082 ( 200 6.01) ,  H03F 3/19 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/72 H ,  H01L 27/08 101 B ,  H03F 3/19
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM