半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035790
特許番号：特許第4493752号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、紫外光又は赤外光を照射して前記非晶質半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に変化させる第1熱処理を行い、前記結晶性半導体薄膜に対して還元雰囲気として水素雰囲気又はアンモニア雰囲気中で900〜1200°Cの第2熱処理をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：