FENG Wei について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
FENG Wei について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
HETTIARACHCHI Ranga について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
HETTIARACHCHI Ranga について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
SATO Soshi について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
KAKUSHIMA Kuniyuki について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
NIWA Masaaki について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
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JST-CREST, Tokyo, JPN について
IWAI Hiroshi について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
YAMADA Keisaku について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
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JST-CREST, Tokyo, JPN について
OHMORI Kenji について
Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN について
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JST-CREST, Tokyo, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
MOSFET について
ナノワイヤ について
ケイ素 について
プレーナ構造 について
雑音特性 について
分布 について
酸化膜 について
周波数依存性 について
電子顕微鏡観察 について
走査電子顕微鏡 について
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電流電圧特性 について
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シリコンナノワイヤFET について
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利点 について