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J-GLOBAL ID：201202251136482041   整理番号：12A0706072

シリコンナノワイヤ金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの雑音特性におけるプレーナ型トランジスタに対する利点

Advantages of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors over Planar Ones in Noise Properties

著者 (13件)： FENG Wei (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  FENG Wei (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HETTIARACHCHI Ranga (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HETTIARACHCHI Ranga (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SATO Soshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NIWA Masaaki (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NIWA Masaaki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMADA Keisaku (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Keisaku (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OHMORI Kenji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OHMORI Kenji (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DC06.1-04DC06.5  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤ金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(NWFET)の低周波雑音の挙動を,プレーナ型FETとの対比において調べた。NWFETはプレーナFETよりも低い雑音強度を示した。雑音強度に影響する要因の解析によると,NWFETの優位性に関するもっとも可能性の高い起源は,NWFETのチャネル中の電子の分布にあると推論した。量子閉込めにより,NWFETのチャネル中の電荷中心の位置は界面から遠く離れており,電子と酸化膜トラップ間の捕獲確率が低くなっていることを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  プレーナ構造 ,  雑音特性 ,  分布 ,  酸化膜 ,  周波数依存性 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  低周波雑音 ,  量子閉込め
準シソーラス用語： NWFET ,  シリコンナノワイヤFET ,  電子分布

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (28件)：

• 1) H. Iwai: IEEE J. Solid-State Circuits 34 (1999) 357.
• 2) S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Ohmori, K. Natori, K. Yamada, and H. Iwai: Microelectron. Reliab. 51 (2011) 879.
• 3) C. Wei, Y. Jiang, Y. Z. Xiong, X. Zhou, N. Singh, S. C. Rustagi, G. Q. Lo, and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 10 (2009) 1081.
• 4) N. Singh, A. Agarwal, L. K. Bera, T. Y. Liow, R. Yang, S. C. Rustagi, C. H. Tung, R. Kumar, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 383.
• 5) C. Dupre, A. Hubert, S. Becu, M. Jublot, V. Maffim-Alvaro, C. Vizioz, F. Aussenac, C. Arvet, S. Barnola, J. M. Hartmann, G. Gamier, F. Allain, J. P. Colonna, M. Rivoire, L. Baud, S. Pauliac, V. Loup, T. Chevolleau, P. Rivallin, B. Guillaumot, G. Ghibaudo, O. Faynot, T. Ernst, and S. Deleonibus: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 749.

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンナノワイヤ ,  酸化膜 ,  電界効果トランジスタ ,  雑音特性 ,  プレーナ型トランジスタ ,  利点