特許
J-GLOBAL ID：201203012623972495

積層体およびその製造方法

発明者：
福本 晴彦

福本 晴彦 について

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小田川 健二

小田川 健二 について

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貞本 満

貞本 満 について

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中山 徳夫

中山 徳夫 について

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高木 斗志彦

高木 斗志彦 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-006645
公開番号（公開出願番号）：特開2012-148416
出願日： 2011年01月17日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】ポリシラザンからなり、耐擦傷性、透明性、基材との密着性に優れるとともに、上高屈折率膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】基材12と、前記基材12上に形成されたシリコン含有膜16と、を備える積層体であって、前記シリコン含有膜16は、珪素原子と窒素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子とからなる窒素高濃度領域18を有し、前記窒素高濃度領域は、基材12上に形成されたと遷移金属化合物を混合した膜14に酸素または水蒸気を実質的に含まない雰囲気下でエネルギー線照射を行い、当該膜の少なくとも一部を変性することにより形成される、積層体。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材と、前記基材上に形成されたシリコン含有膜と、を備える積層体であって、 前記シリコン含有膜は、珪素原子と窒素原子、または珪素原子と窒素原子と酸素原子とからなる窒素高濃度領域を有し、 前記窒素高濃度領域は、基材上に形成された遷移金属化合物を含有するポリシラザン膜に酸素または水蒸気を実質的に含まない雰囲気下でエネルギー線照射を行い、当該膜の少なくとも一部を変性することにより形成される、 積層体。
IPC (3件)：
B32B 27/00 ,  B32B 9/00 ,  B05D 7/24
FI (3件)：
B32B27/00 A ,  B32B9/00 A ,  B05D7/24 302A
Fターム (47件)：
4D075BB24Z ,  4D075BB41Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB49Z ,  4D075BB52Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB94Z ,  4D075CA42 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EB42 ,  4D075EC01 ,  4D075EC37 ,  4F100AA02B ,  4F100AA04B ,  4F100AA05B ,  4F100AA07B ,  4F100AA17B ,  4F100AB11 ,  4F100AH08B ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100AK79B ,  4F100AL06B ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100EH46B ,  4F100EJ52B ,  4F100EJ54B ,  4F100EJ59B ,  4F100EJ60B ,  4F100EJ61B ,  4F100GB15 ,  4F100GB23 ,  4F100GB41 ,  4F100JD02B ,  4F100JD03 ,  4F100JD04 ,  4F100JK06 ,  4F100JK14 ,  4F100JN01 ,  4F100YY00B
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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