被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀井岳行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-254698
公開番号（公開出願番号）：特開2007-128924
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】基板にダメージを与えることなく基板の最表面を窒化させることを第1の技術的課題とする。【解決手段】窒素含有気体雰囲気中に波長172〜126nmの真空紫外光を照射することにより前記窒素含有気体を分解して被膜形成基板(K)の表面に吸着させると共に、前記被膜形成基板表面(K)に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて前記被膜形成基板(K)表面の窒化を行う被膜窒化方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒素含有気体雰囲気中に波長172nm〜126nmの真空紫外光を照射することにより前記窒素含有気体を分解して被膜形成基板の表面に吸着させると共に、前記被膜形成基板表面に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて前記被膜形成基板表面の窒化を行うことを特徴とする被膜窒化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/318 A , H01L29/78 301G

Fターム (15件)：

5F058BC08 , 5F058BF05 , 5F058BF64 , 5F058BF78 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE17 , 5F140BE19

引用特許：

出願人引用 (10件)

酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222049 出願人：学校法人東海大学, ウシオ電機株式会社
酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-015781 出願人：ソニー株式会社
保護膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-289860 出願人：沖電気工業株式会社, 宮崎沖電気株式会社

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審査官引用 (6件)

シリコンの低温窒化
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-181775 出願人：シャープ株式会社
特開平2-050428
特開昭60-085534

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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