特許
J-GLOBAL ID：200903035811029975
化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-273092
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260237
出願日： 2008年10月23日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】発光特性に優れる化合物半導体発光素子及びその製造方法、ランプ、電子機器並びに機械装置を提供する。【解決手段】基板11上に、化合物半導体からなるn型半導体層12、発光層13及びp型半導体層14がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極15及び導電型電極からなる負極17を備えてなり、正極15をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するIn2O3なる組成の結晶を含む透明導電膜である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、化合物半導体からなるn型半導体層、発光層及びp型半導体層がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極及び導電型電極からなる負極を備えてなる化合物半導体発光素子であって、
前記正極をなす導電型透光性電極が、六方晶構造を有するIn2O3なる組成の結晶を含む透明導電膜であることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041DA07
, 5F041DA18
, 5F041DA43
, 5F041DB01
, 5F041FF02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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