特許
J-GLOBAL ID：201203021368844100

金属-酸化物-金属キャパシタ用の高容量絶縁体の選択的製作

発明者：
ウ・タグ・カン

ウ・タグ・カン について

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ジョンヘ・キム

ジョンヘ・キム について

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ジュンウォン・スー

ジュンウォン・スー について


出願人/特許権者：
クアルコム,インコーポレイテッド

クアルコム,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-554277
公開番号（公開出願番号）：特表2012-520574
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
高容量を有する半導体デバイス内のキャパシタの、方法およびデバイスが開示されている。特定の実施形態では、キャパシタを形成する方法が開示されている。第1の金属コンタクト要素と第2の金属コンタクト要素との間の第1の絶縁材料の切片は、チャネルを形成するために除去される。第2の絶縁材料は、第1の金属コンタクト要素と第2の金属コンタクト要素との間のチャネル内に堆積される。
請求項（抜粋）：
第1の金属コンタクト要素と第2の金属コンタクト要素との間に位置決めされた第1の絶縁材料の部分を除去して、チャネルを形成するステップと、 第2の絶縁材料を、前記第1の金属コンタクト要素と前記第2の金属コンタクト要素との間の前記チャネル内に堆積するステップと を含む、キャパシタを形成する方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 621B
Fターム (14件)：
5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083AD56 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083PR38
引用特許：
審査官引用 (8件)
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