特許
J-GLOBAL ID：201203033096211542
半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-077811
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212793
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：
【課題】最終的に半導体基板に転写されるパターンの寸法誤差をより低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程(S102)と、小領域毎に、パターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程(S104〜S109)と、小領域毎に、組み合わせの形状の照明光でマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンを順に多重露光する工程(S120,S122)と、多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程(S126)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程と、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、前記所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程と、
小領域毎に、取得された組み合わせの形状の照明光で取得された組み合わせのマスクパターンを前記半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンが順に転写されるように前記半導体基板を多重露光する工程と、
多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 541E
, H01L21/30 541Q
5F056AA04
, 5F056AA13
, 5F056CA04
, 5F056CA05
, 5F056CD15
