特許
J-GLOBAL ID：201203037737919996

窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-251796
公開番号（公開出願番号）：特開2012-101977
出願日： 2010年11月10日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】窒化物半導体単結晶の反り(面方位分布)を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、HVPE炉20において、石英リアクタ7内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持してGaN薄膜2及びストライプマスク4を有する基板1上にGaN厚膜5を成長させるとともに、成長中のGaN厚膜5の反りが予め定めた範囲内になるように当該HVPE炉20を加熱するヒータ8の制御温度を変化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体単結晶のヘテロエピタキシーによる製造方法であって、 気相成長による結晶成長装置内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持して基板上に窒化物半導体単結晶を成長させるとともに、 成長中の前記窒化物半導体単結晶の反りが予め定めた範囲内になるように前記結晶成長装置を加熱するヒータの制御温度を変化させることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  H01L21/31 B
Fターム (33件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB03 ,  4G077TJ03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045EK27 ,  5F045GB10
引用特許：
審査官引用 (11件)
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