特許
J-GLOBAL ID：201203038712043081

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
田村 量

田村 量 について


出願人/特許権者：
シチズンホールディングス株式会社

シチズンホールディングス株式会社 について

, 
シチズン電子株式会社

シチズン電子株式会社 について


代理人 (2件)： 宮島 明 ,  土屋 繁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-201786
公開番号（公開出願番号）：特開2012-059921
出願日： 2010年09月09日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：
【課題】高い反射率を確保するため無機質のバインダに反射性微粒子を混練した白色セラミックを回路基板に厚く塗布するとボイドやクラックが生じる。これらを回避するため白色セラミックインクを2層化しても、白色セラミックインクが硬質であるため回路基板から剥がれやすいという課題が残る。【解決手段】LED装置10は、回路基板22上面に電極17を有し、少なくとも電極17の一部を覆う白色レジスト層16と、白色レジスト層16を覆う白色セラミックインク層15とを備えている。この結果、白色レジスト層16と白色セラミックインク層15の積層体からなる反射部材は高い反射率と耐光性を備え、軟質の白色レジスト層16がバッファとなり反射部材が回路基板から剥がれにくくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路基板上に反射部材と半導体発光素子を備えた半導体発光装置において、 前記回路基板の上面に電極を有し、 少なくとも該電極の一部を覆う白色レジスト層と、 該白色レジスト層を覆う白色セラミックインク層とを備え、 該白色セラミックインク層が樹脂層で覆われている ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/60
FI (1件)：
H01L33/00 432
Fターム (8件)：
5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA76 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA45 ,  5F041DA92
引用特許：
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (5件)
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