特許
J-GLOBAL ID:201203052367664313

はんだ、はんだ付け方法及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-018233
公開番号(公開出願番号):特開2012-157873
出願日: 2011年01月31日
公開日(公表日): 2012年08月23日
要約:
【課題】延性が高く、長期間にわたり十分な接合強度を維持できるPbフリーはんだ、そのはんだを用いた半導体装置及びはんだ付け方法を提供する。【解決手段】Sn(スズ)、Bi(ビスマス)及びZn(亜鉛)を含み、Znの含有量が0.01wt%乃至0.1wt%であるはんだを使用する。例えばBi含有量が45wt%〜65wt%、Zn含有量が0.01wt%乃至0.1wt%、残部がSnからなるはんだ、又はBi含有量が45wt%〜65wt%、Sb(アンチモン)含有量が0.3wt%〜0.8wt%、Zn含有量が0.01wt%乃至0.1wt%、残部がSnからなるはんだを使用し、電子部品と基板とを接合する。【選択図】図13
請求項(抜粋):
Sn(スズ)、Bi(ビスマス)及びZn(亜鉛)を含み、前記Znの含有量が0.01wt%乃至0.1wt%であることを特徴とするはんだ。
IPC (5件):
B23K 35/26 ,  C22C 12/00 ,  C22C 13/02 ,  B23K 1/00 ,  H05K 3/34
FI (7件):
B23K35/26 310C ,  B23K35/26 310A ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  B23K1/00 330E ,  B23K1/00 310C ,  H05K3/34 512C
Fターム (10件):
5E319AA03 ,  5E319AB06 ,  5E319AC01 ,  5E319AC02 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD29 ,  5E319GG03 ,  5E319GG11
引用特許:
審査官引用 (8件)
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