特許
J-GLOBAL ID:201203052367664313
はんだ、はんだ付け方法及び半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-018233
公開番号(公開出願番号):特開2012-157873
出願日: 2011年01月31日
公開日(公表日): 2012年08月23日
要約:
【課題】延性が高く、長期間にわたり十分な接合強度を維持できるPbフリーはんだ、そのはんだを用いた半導体装置及びはんだ付け方法を提供する。【解決手段】Sn(スズ)、Bi(ビスマス)及びZn(亜鉛)を含み、Znの含有量が0.01wt%乃至0.1wt%であるはんだを使用する。例えばBi含有量が45wt%〜65wt%、Zn含有量が0.01wt%乃至0.1wt%、残部がSnからなるはんだ、又はBi含有量が45wt%〜65wt%、Sb(アンチモン)含有量が0.3wt%〜0.8wt%、Zn含有量が0.01wt%乃至0.1wt%、残部がSnからなるはんだを使用し、電子部品と基板とを接合する。【選択図】図13
請求項(抜粋):
Sn(スズ)、Bi(ビスマス)及びZn(亜鉛)を含み、前記Znの含有量が0.01wt%乃至0.1wt%であることを特徴とするはんだ。
IPC (5件):
B23K 35/26
, C22C 12/00
, C22C 13/02
, B23K 1/00
, H05K 3/34
FI (7件):
B23K35/26 310C
, B23K35/26 310A
, C22C12/00
, C22C13/02
, B23K1/00 330E
, B23K1/00 310C
, H05K3/34 512C
Fターム (10件):
5E319AA03
, 5E319AB06
, 5E319AC01
, 5E319AC02
, 5E319BB04
, 5E319BB05
, 5E319CC33
, 5E319CD29
, 5E319GG03
, 5E319GG11
引用特許:
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