特許
J-GLOBAL ID：201203056737196778

固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器

発明者：
瀧本 香織

瀧本 香織 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-014520
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156334
出願日： 2011年01月26日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】OB画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】固体撮像装置において、OB画素領域8の光電変換部11上部における、遮光膜19と基板10との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜(絶縁膜22)のみで構成する。これにより、OB画素領域8における光電変換部11上部において、基板10と遮光膜19との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板に形成されたフォトダイオードからなる光電変換部と、光電変換部で生成、蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し電極を備えた画素が複数形成された撮像領域と、 前記撮像領域の有効画素領域における光電変換部上部に開口部を有し、前記撮像領域のOB画素領域における光電変換部を遮光する遮光膜とを備え、 前記OB画素領域の光電変換部上部において、前記遮光膜と前記基板との間に成膜される膜は、シリコン酸化膜のみで構成されている 固体撮像装置。
IPC (1件)：
H01L 27/14
FI (1件)：
H01L27/14 D
Fターム (23件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118DA20 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA14 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118FA35 ,  4M118FA38 ,  4M118GA09 ,  4M118GA10 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB17 ,  4M118GD04
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM