特許
J-GLOBAL ID：201203086565649690

半導体装置

発明者：
松本 達也

松本 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-148439
公開番号（公開出願番号）：特開2012-015222
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：
【課題】半導体素子1と絶縁基板4間の接合を長寿命化できる半導体装置を提供する。【解決手段】複数の絶縁基板4毎に上面に接合した第1金属回路箔5cと、第1金属回路箔5cに半田で下面が接合した半導体素子1と、第1金属回路箔5cから離れて絶縁基板4毎の上面に接合し、金属ワイヤ3を介して半導体素子1の上面に接続する第2金属回路箔5aと、金属ワイヤ3と半導体素子1との接続部を被覆する絶縁性の第1樹脂17cと、第1金属回路箔5cと第2金属回路箔5aの側面を被覆する絶縁性の第2樹脂17a、17bとを有し、第1金属回路箔5cと、半導体素子1と、金属ワイヤ3と、第2金属回路箔5aと、第1樹脂17cと、第2樹脂17a、17bを被覆し、第1樹脂17cと第2樹脂17a、17bより硬く、線膨張係数が半田と略等しい絶縁性の第3樹脂18を有し、第3樹脂18が、複数の絶縁基板4毎に設けられ、互いに離れている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属基板の一方の面に接合した複数の絶縁基板と、 前記絶縁基板毎に上面に接合した第1金属回路箔と、 前記第1金属回路箔に半田で下面が接合した半導体素子と、 前記第1金属回路箔から離れて前記絶縁基板毎の上面に接合し、金属ワイヤを介して前記半導体素子の上面に接続する第2金属回路箔と、 前記金属ワイヤと前記半導体素子との接続部を被覆する絶縁性の第1樹脂と、 前記第1金属回路箔と前記第2金属回路箔の側面を被覆する絶縁性の第2樹脂とを有する半導体装置において、 前記第1金属回路箔と、前記半導体素子と、前記金属ワイヤと、前記第2金属回路箔と、前記第1樹脂と、前記第2樹脂を被覆し、前記第1樹脂と前記第2樹脂より硬く、線膨張係数が前記半田と略等しい絶縁性の第3樹脂を有し、 前記第3樹脂が、複数の前記絶縁基板毎に設けられ、互いに離れていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/30 B ,  H01L25/04 C
Fターム (10件)：
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA08 ,  4M109EA10 ,  4M109EC04 ,  4M109GA02
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 混成集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307212   出願人：三洋電機株式会社
  • 半導体モジュール及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174336   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011465   出願人：株式会社日立製作所
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