特許
J-GLOBAL ID：201203089153267954
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-130519
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258671
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと絶縁層20と第2導電部30bと封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第1半導体層、発光層及び第2半導体層を含む半導体積層体10と、第2主面10aの側で第1、第2半導体層に接続された第1、第2電極14、15と、を含む。第1導電部は、第1電極に接続され、第2半導体層と離間しつつ第2半導体層の一部12pを覆う第1柱部31aを含む。絶縁層20は第2半導体層と第1柱部との間に設けられる。第2導電部は第2電極に接続され第2主面の上に立設される。封止部は第1、第2導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第1主面10bに設けられ、波長変換部を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第1半導体層の側の第1主面と前記第2半導体層の側の第2主面とを有し、前記第2半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第2主面において前記第1半導体層の一部が露出した半導体積層体と、
前記第2主面の側において前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、
前記第2主面の側において前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、
を含む発光部と、
前記第1電極に電気的に接続された第1導電部であって、前記第2半導体層と離間しつつ前記第2半導体層の前記第2主面の側の一部を覆い前記第2主面に立設された第1柱部を含む前記第1導電部と、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部と、前記第1柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第2電極に電気的に接続された第2導電部であって、前記第2主面の上に立設された第2柱部を含む第2導電部と、
前記第1導電部の側面及び前記第2導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第1主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/38
, H01L 33/52
, H01L 33/50
H01L33/00 210
, H01L33/00 420
, H01L33/00 410
5F041AA47
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041DA03
, 5F041DA09
, 5F041DA20
, 5F041DA41
, 5F041DA44
, 5F041DA46
, 5F041DA58
, 5F041DA92
, 5F041EE17
, 5F041EE25
