半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-220777
公開番号（公開出願番号）：特開2012-079746
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：

【課題】低廉なプロセスにて高性能・高信頼性を実現しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の領域に形成された第1の不純物層及び第1のエピタキシャル半導体層と、第1のエピタキシャル半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、第1の領域に形成された第1のソース/ドレイン領域とを有する第1のトランジスタと、第2の領域に形成された第2の不純物層及び第1のエピタキシャル半導体層よりも薄い第2のエピタキシャル半導体層と、第2のエピタキシャル半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極と、第2の領域に形成された第2のソース/ドレイン領域とを有する第2のトランジスタとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の領域及び第2の領域に第1導電型の第1の不純物をイオン注入する工程と、前記第1の不純物を活性化して前記第1の領域及び前記第2の領域に第1の不純物層を形成する工程と、前記第1の不純物層が形成された前記半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長する工程と、前記半導体層上に、前記第1の領域を露出し、前記第2の領域を覆うマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて、前記第1の領域の前記半導体層の一部を除去する工程と、前記マスクを除去した後、前記半導体層上に、第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1の領域の前記第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極を、前記第2の領域の前記第1のゲート絶縁膜上に第2のゲート電極を、それぞれ形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L27/08 102B , H01L27/08 321N , H01L27/08 321C

Fターム (30件)：

5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA02 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BC19 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BE01 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BE07 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-131158 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099203 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-334189 出願人：株式会社東芝

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