パターン形成方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明 , 重野隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-285727
公開番号（公開出願番号）：特開2012-134353
出願日： 2010年12月22日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：

【課題】反転パターンの寸法精度を向上させる。【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、基板上に第1パターンを形成する工程と、前記第1パターンの上部に紫外線を照射し、反転樹脂材料に対する撥液性を高める工程と、を備える。さらに、このパターン形成方法は、紫外線の照射後に、前記基板上に前記反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第1パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第2パターンを形成する工程と、前記第2パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1パターンを形成する工程と、前記第1パターンの上部に紫外線を照射する工程と、前記紫外線の照射後に、前記基板上に反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第1パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第2パターンを形成する工程と、前記第2パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備えるパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D , B29C59/02 Z

Fターム (12件)：

4F209AA44 , 4F209AF01 , 4F209AH33 , 4F209PA02 , 4F209PA15 , 4F209PA18 , 4F209PB01 , 4F209PB11 , 4F209PN09 , 4F209PW41 , 5F046AA28 , 5F146AA28

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭64-023535
半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-237563 出願人：セイコーエプソン株式会社
ブロック共重合体を用いてホール又はビアを有するデバイスを形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-511217 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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