様々なパターン密度を持つサブ100nmパターンのためのスピンコート膜を用いた紫外ナノインプリンティングにおける均一残留層生成

SUZUKI Kenta; SUZUKI Kenta; SUZUKI Kenta; YOUN Sung-Won; YOUN Sung-Won; WANG Qing; WANG Qing; HIROSHIMA Hiroshi; HIROSHIMA Hiroshi; NISHIOKA Yasuhiro

文献

J-GLOBAL ID：201302224220383210 整理番号：13A1165633

様々なパターン密度を持つサブ100nmパターンのためのスピンコート膜を用いた紫外ナノインプリンティングにおける均一残留層生成

Uniform Residual Layer Creation in Ultraviolet Nanoimprint Using Spin Coat Films for Sub-100-nm Patterns with Various Pattern Densities

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著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 52 号： 6,Issue 2 ページ： 06GJ06.1-06GJ06.6 発行年： 2013年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

スピンコート膜では,パターン密度の変化によって生じる残留層膜厚(RLT)の変化が,UVナノインプリンティング(NIL)において問題になる。この問題を解決するために,パターン深さを改良して任意の位置での単位面積当たりのパターン容量を等しくする容量均等化モールドを使用することを提案する。数百μmのオーダーの様々なパターンサイズを持つモールドを使って,このモールドの有効性は実証されているが,ナノインプリンティングによって作製される素子パターンで必要とされるものと比較して,これらの場合のサイズは大きすぎ,また,アスペクト比は小さすぎる。本研究では,ナノメートルスケールパターンを持つ容量均等化モールドを用いることの妥当性を評価した。グルーブ幅を一定にした二段階深さ構造とサブ100nm幅のパターンを持つ容量均等化モールドを設計通りに作製することに成功した。容量均等化モールドを用いることによって,UVナノインプリントパターンのRLTの標準偏差を,通常のモールドを使った場合の1/3以下に減らすことができた。容量均等化モールドを用いたUVナノインプリントパターンを,Si基板上に均等に転移することができた。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (30件)：

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