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J-GLOBAL ID：201302269630279627   整理番号：13A1200178

製造に挿入するためのEUVリソグラフィーの準備:IMEC EUVプログラム

Readiness of EUV Lithography for Insertion into Manufacturing: The IMEC EUV Program

著者 (10件)： HENDRICKX Eric (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  GRONHEID Roel (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  HERMANS Jan (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  LORUSSO Gian (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  FOUBERT Philippe (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  POLLENTIER Ivan (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  GOETHALS Anne-Marie (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  JONCKHEERE Rik (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  VANDENBERGHE Geert (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL) ,  RONSE Kurt (IMEC vzw, Kapeldreef, BEL)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 26  号： 5  ページ： 587-593  発行年： 2013年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： imecでのEUVプログラムは量産IC生産に挿入するEUVリソグラフィーを調製するための重要な課題を同定する事が目的である。本プログラムは0.25 NA ASML アルファーデモツールを用いて2006年に始まって,それ以来幾つかの重点分野について明らかになった。1)スキャナーの性能,信頼性および計測,2)汎用でEUV特異的画像効果のためのOPC戦略の定義と検証,3)レチクル欠陥度,多層欠陥,レチクル処理およびレチクル洗浄に注目,4)レジストスクリーニング,解像度,線幅粗さ,感度に関して最適性能を与えると共にEUVで作成したパターンの下位層への十分に移動ができる材料の同定に注目,5)EUVリソグラフィーの代表的な素子構造の製作へのEUVリソグラフィーの実用化。2011年以来,アルファーデモツールをASML NXE:3100によって置き換えて,更に,高い解像度と生産性を得た。本論文ではimecのEUVプログラムの最近達成した項目を選択してハイライトした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *生産工程 ,  *研究開発 ,  *問題 ,  走査装置 ,  レチクル ,  欠陥検査 ,  フォトレジスト ,  分解能 ,  幅 ,  表面粗さ ,  感度 ,  生産性 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  *研究課題 ,  線幅 ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• 1. J. Versluijs, Y. K. Siew, E. Kunnen, D. Vangoidsenhoven, S. Demuynck, V. Wiaux, H. Dekkers, G. Beyerwiaux Proc. SPIE 7973 (2011) 79731R.
• 2. C. Bencher, H. Dai, L. Miao, Y. Chen, P. Xu, Y. Chen, S. Oemardani, J. Sweis, V. Wiaux, J. Hermans, L.-W. Chang, X. Bao, H. Yi, H.-S. Wong Proc. SPIE 7973 (2011) 79730K.
• 3. H. Yaegashi, K. Oyama, A. Hara, S. Natori, S. Yamauchi Proc. SPIE 8325 (2012) 83250B.
• 4. C. Bencher, J. Smith, L. Miao, C. Cai, Y. Chen, J. Y. Cheng, D. P. Sanders, M. Tjio, H. D. Truong, S. Holmes, W. D. Hinsberg Proc. SPIE 7970 (2011) 79700F.
• 5. P. A. Rincon Delgadillo, R. Gronheid, C. J. Thode, H. Wu, Y. Cao, G. Lin, M. Somervell, K. Nafus, P. F. Nealey J. Photopolym. Sci. Technol. 25 (2012) 77.

タイトルに関連する用語 (2件)： EUVリソグラフィー ,  EUV