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J-GLOBAL ID：201302285405615710   整理番号：13A1936942

湿式エッチングの間のSi(111)上のキンク発生率と,ステップ流れ速度の評価

Evaluation of Kink Generation Rate and Step Flow Velocity on Si(111) during Wet Etching

著者 (2件)： HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 11,Issue 1  ページ： 110127.1-110127.4  発行年： 2013年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)表面上の<112>指向の原子ステップでの超低溶融酸素水(LOW)のよじれ発生率を実験的に決定した。パターンを横切ってキンク伝播を防ぐ SiO₂ライン・パターンを加えることによって,ステップ長を制御して,ステップが短かいときステップ流速がステップ長と比例することを見つけた。比例係数から,キンク発生率は,800cm^-1s^-1と評価した。さらに,ステップに沿ったキンク伝播速度は,また,40nm/sと評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エッチング ,  *ケイ素 ,  *キンク ,  *発生 ,  伝搬 ,  速度 ,  ステップ ,  流速

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (28件)：

• G. S. Higashi, R. S. Becker, Y. J. Chabal, and A. J. Becker: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1656.
• T. Shimada, M. Ohtomo, T. Suzuki, T. Hasegawa, K. Ueno, S. Ikeda, K. Saiki, M. Sasaki, and K. Inaba: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 223303.
• S. Gorji Ghalamestani, M. Berg, K. A. Dick, and L.-E. Wernersson: J. Cryst. Growth 332 (2011) 12.
• K. Hara and I. Ohdomari: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1333.
• N. Tokuda, M. Nishizawa, K. Miki, S. Yamasaki, R. Hasunuma, and K. Yamabe: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L613.

タイトルに関連する用語 (6件)： 湿式エッチング ,  Si ,  キンク ,  発生率 ,  流れ速度 ,  評価