特許
J-GLOBAL ID：201303004170212057

炭化珪素半導体構造における積層誘電体

発明者：
リプキン,ロリ・エイ

リプキン,ロリ・エイ について

, 
パルモア,ジョン・ウィリアムズ

パルモア,ジョン・ウィリアムズ について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  田中 拓人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568128
特許番号：特許第5021860号
出願日： 1999年08月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素部分(16)および当該炭化珪素部分上の誘電体構造を含む炭化珪素半導体デバイスであって; 当該誘電体構造が、 当該炭化珪素部分(16)上にあり、かつ当該誘電体構造の厚さの0.5〜33%の厚さを有する第一の二酸化珪素層(17); 当該第一の二酸化珪素層上の窒化珪素層(20);および 当該窒化珪素層上にあり、かつ当該誘電体構造の厚さの0.5〜33%の厚さを有する第二の二酸化珪素層(21)により特徴づけられ、 当該窒化珪素層(20)が当該誘電体構造の厚さの残りを構成し、 前記誘電体構造がゲート絶縁体である ことを特徴とする、当該炭化珪素半導体デバイス。
IPC (13件)：
H01L 21/314 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 29/161 ( 200 6.01) ,  H01L 29/749 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)
FI (14件)：
H01L 21/314 M ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/91 A
引用特許：
審査官引用 (16件)
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