半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083940
特許番号：特許第4717988号
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上の第1の層間絶縁膜に設けられたシリコンプラグと、前記第1の層間絶縁膜上の第2の層間絶縁膜のホール内面に設けられた容量素子とを備え、前記容量素子の下部電極がルテニウムで構成された半導体装置において、前記第1の層間絶縁膜と前記第2の層間絶縁膜との間に第3の層間絶縁膜が設けられると共に、該第3の層間絶縁膜を貫通するルテニウム膜が設けられ、該ルテニウム膜を介して前記シリコンプラグと前記容量素子の下部電極とが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：