支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237917
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058774
出願日： 2012年10月29日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。【解決手段】ゲート電極の第1の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第2の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第1の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。【選択図】図18

請求項（抜粋）：

保護層を形成するステップであって、前記保護層は、貫通して延在する開口を有するステップと、ゲート電極の第1の部分が、前記開口の外側に存在する前記保護層の表面部分で横方向に延在するように、かつ、前記保護層から間隔を空けて配置された前記ゲート電極の第2の部分が、前記第1の部分を越えて横方向に延在するように、前記開口内に前記ゲート電極を形成するステップとを含むことを特徴とするトランジスタを作製する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L21/316 X , H01L21/318 B

Fターム (84件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD13 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD34 , 4M104DD79 , 4M104EE06 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BD19 , 5F058BF02 , 5F058BH12 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT05 , 5F102GT06 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (10件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358904 出願人：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056197 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-156877

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