特許
J-GLOBAL ID：201303014832385254
基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-040647
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175681
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】基板表面に付着したパーティクルを高い除去率で除去することのできる技術を提供すること。【解決手段】基板であるウエハWに付着しているパーティクルについて粒径を含むパーティクル情報74を取得し、このパーティクル情報74に基づいて、洗浄用のガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターの粒径に係わる因子例えばガス圧力を調整する。その後、ウエハWの置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、処理雰囲気に前記洗浄用のガスを吐出し、断熱膨張により前記ガスクラスターを生成させる。このガスクラスターをウエハWの表面に垂直に照射すると、パーティクルの粒径に見合った粒径のガスクラスターにより洗浄処理を行うことができ、その結果、ウエハWの表面に回路パターンのための凹部が形成されていても凹部内のパーティクルを高い除去率で除去することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板に付着しているパーティクルを除去する基板洗浄方法において、
基板に付着しているパーティクルについて粒径を含むパーティクル情報を取得する工程と、
前記工程で取得されたパーティクル情報に基づいて、洗浄用のガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターの粒径に係わる因子を調整する工程と、
その後、基板の置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、処理雰囲気に前記洗浄用のガスを吐出し、断熱膨張により前記ガスクラスターを生成させる工程と、
前記ガスクラスターを基板の表面に垂直に照射してパーティクルを除去する工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 645Z
, H01L21/304 648G
, H01L21/304 648A
5F157AA09
, 5F157AA73
, 5F157AA93
, 5F157AA94
, 5F157AB02
, 5F157AB12
, 5F157AB33
, 5F157AB49
, 5F157AB90
, 5F157BB22
, 5F157BB36
, 5F157BG01
, 5F157BG73
, 5F157BG82
, 5F157BH21
, 5F157CB31
, 5F157CD13
, 5F157CD16
, 5F157CE31
, 5F157CE32
, 5F157CE36
, 5F157CE63
, 5F157CF44
, 5F157DB18
