特許
J-GLOBAL ID：201303015461014637
ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-176813
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239752
出願日： 2013年08月28日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第1の酸化物層を形成するステップであって、該第1の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第1のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第1の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第1のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第2のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第2のシリコン酸化物層の一部になり、該第2のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン酸化物層を基板上に形成する方法であって、
基板を準備するステップと、
前記基板の少なくとも一部を覆う第1のシリコン酸化物層を形成するステップであって、前記第1のシリコン酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップと、
前記第1のシリコン酸化物層を、複数のシリコン含有種に曝すステップであって、前記複数のシリコン含有種のうちの少なくとも一部が、前記残留する水及び水酸基の少なくとも一部と反応するか、または、熱分解されて複数の非晶質シリコン成分を形成し、前記複数の非晶質シリコン成分が、前記第1のシリコン酸化物層と部分的に混合するステップと、
前記複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合された前記第1のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第2のシリコン酸化物層を前記基板上に形成するステップであって、前記非晶質シリコン成分の少なくとも一部が、酸化されて、前記第2のシリコン酸化物層の一部になり、また、前記第2のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種が、実質的に除去されるステップと、
を備える方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/42
, H01L 21/26
H01L21/316 X
, C23C16/42
, H01L21/26 F
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA29
, 4K030BA44
, 4K030BB13
, 4K030DA09
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F058BA09
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BF62
, 5F058BF73
, 5F058BH03
, 5F058BH16
, 5F058BJ06
