特許
J-GLOBAL ID：201303019509260444
溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-057959
公開番号（公開出願番号）：特開2013-190693
出願日： 2012年03月14日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】溶剤現像ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)及び塩基性化合物成分(D)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、3〜7員環のエーテル含有環式基を含む構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)と、を有する樹脂成分(A1)を含有し、前記塩基性化合物成分(D)が、フッ素原子を有する塩基性化合物成分(D1)を含有することを特徴とする溶剤現像ネガ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、及び塩基性化合物成分(D)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、3〜7員環のエーテル含有環式基を含む構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)と、を有する樹脂成分(A1)を含有し、
前記塩基性化合物成分(D)が、フッ素原子を有する塩基性化合物成分(D1)を含有することを特徴とする溶剤現像ネガ型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/038
, G03F 7/32
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/038 601
, G03F7/32
, H01L21/30 502R
2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA05
, 2H096GA03
, 2H125AE13P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF38P
, 2H125AF41P
, 2H125AF43P
, 2H125AH05
, 2H125AH13
, 2H125AH17
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN63P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 2H125FA05
