特許
J-GLOBAL ID：201303019518946766

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
飯岡 修

飯岡 修 について

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江見 直人

江見 直人 について

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庄司 敦史

庄司 敦史 について

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馬渡 博史

馬渡 博史 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209639
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022684
特許番号：特許第4859294号
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の不揮発性メモリセルと該不揮発性メモリセルに接続される複数のサブビット線とを含む仮想接地メモリアレイと、 第1及び第2の選択線と、 該第1の選択線を活性化することにより導通される第1及び第2の選択トランジスタと、 該第2の選択線を活性化することにより導通される第3の選択トランジスタと、 該第1の選択トランジスタを介して選択メモリセルのドレイン側であるサブビット線に接続されドレイン電位を供給する第1のメインビット線と、 該第2の選択トランジスタを介して該選択メモリセルのソース側であるサブビット線に接続されソース電位を供給する第2のメインビット線と、 該第3の選択トランジスタを介して該選択メモリセルのドレイン側である該サブビット線の隣のサブビット線に接続され該ドレイン電位と実質同電位に設定される第3のメインビット線 を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G11C 17/00 621 Z ,  G11C 17/00 622 C ,  G11C 17/00 634 A ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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