特許
J-GLOBAL ID:201303026290174292

半導体モジュール及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-012106
公開番号(公開出願番号):特開2013-153010
出願日: 2012年01月24日
公開日(公表日): 2013年08月08日
要約:
【課題】配線部材に起因する浮遊インダクタンスをさらに抑えることができる半導体モジュール及び半導体装置を提供する。【解決手段】IGBT100のコレクタ端子CとIGBT101のエミッタ端子Eは対向して配置されている。バスバー102、105の一端側の端部はIGBT100、101の間に対向して配置されている。バスバー102はIGBT100のコレクタ端子Cに、バスバー105はIGBT101のエミッタ端子Eに接続されている。IGBTモジュール11、12も同一構成であり、これらは列状に配置されている。正極バスバー13及び負極バスバー14はIGBT100、110、120の上面とIGBT101、111、121の下面の間に対向して配置されている。正極バスバー13はバスバー102、112、122の他端側の端部に、負極バスバー14はバスバー105、115、125の他端側の端部に接続されている。【選択図】図7
請求項(抜粋):
一面に形成され、電流が流入する第1端子(C)と、前記一面と背向する他面に形成され、電流が流出する第2端子(E)とを備え、異なる位置に配置される一対の半導体素子(100、101)と、 一方の半導体素子(100)の前記第1端子を配線する第1配線部材(102)と、 他方の半導体素子(101)の前記第2端子を配線する第2配線部材(105)と、 を備えた半導体モジュールにおいて、 前記一対の半導体素子は、前記一方の半導体素子の前記第1端子が前記他方の半導体素子側を向くとともに、前記他方の半導体素子の前記第2端子が前記一方の半導体素子側を向くように配置され、 前記第1配線部材及び前記第2配線部材は、前記一方の半導体素子の前記他面と同一の平面と、前記他方の半導体素子の前記一面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-101920   出願人:三菱電機株式会社
  • パワーモジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-027509   出願人:株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-148040   出願人:三菱電機株式会社
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