アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-177170
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253376
出願日： 2012年08月09日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を800°C〜950°Cに加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内の温度を800°C〜950°Cに加熱し、加熱した反応室内にアンモニアガスを供給することにより当該反応室内をパージして前記被処理体からの水を除去する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 , H01L 21/31 , C23C 16/27

FI (3件)：

H01L21/314 M , H01L21/31 B , C23C16/27

Fターム (38件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030BA29 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB04 , 5F045AB07 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB02 , 5F045BB19 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BE01 , 5F058BF04 , 5F058BF26 , 5F058BJ02 , 5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-130142 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法、成膜装置、および記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-192914 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板吸着水分の除去方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-261849 出願人：日本酸素株式会社

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