特許
J-GLOBAL ID：200903040059311872

p型窒化物半導体の製造方法

発明者：
亀井 英徳

亀井 英徳 について

, 
品川 修一

品川 修一 について

, 
武石 英見

武石 英見 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-013404
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140530
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】形成後のアニーリングを行なうことなく良質なp型窒化物半導体を製造する方法を提供する。【解決手段】基板温度を約1050°Cにして、MgがドープされたGaNからなるp型窒化物半導体層を成長させる。その後、冷却工程において、基板温度が略950°C〜略700°Cの間に、雰囲気の水素濃度(%)をX軸、冷却時間(分)をY軸とし、座標を(X、Y)として、点A(50、1.0)、点B(30、1.8)、点C(10、4.1)、点D(0、15)、点E(0、0.5)、及び点F(50、0.5)で表される各点によって囲まれた領域ABCDEF内で規定される雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせで冷却する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板の上に、該基板の温度を略950°C以上に保持して、p型ドーパント源と窒素源とIII族源とを導入することにより、前記基板上に低抵抗のp型窒化物半導体層を形成するp型窒化物半導体層形成工程と、 前記p型窒化物半導体層が形成された基板を冷却する冷却工程と、を備えるp型窒化物半導体の製造方法であって、 前記冷却工程における前記基板の温度が略950°Cから略700°Cまで降下する間において、p型窒化物半導体層がその低抵抗性を維持できる雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせにより冷却し、前記雰囲気の水素濃度と前記冷却時間の組合わせが、前記雰囲気の水素濃度(%)をX軸、前記冷却時間(分)をY軸とし、座標を(X、Y)として、点A(50、1.0)、点B(30、1.8)、点C(10、4.1)、点D(0、15)、点E(0、0.5)、及び点F(50、0.5)で表される各点によって囲まれた領域ABCDEF内で規定されることを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/52
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  C23C16/52
Fターム (25件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB12 ,  5F045EE17 ,  5F045EK25 ,  5F045EK27
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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