特許
J-GLOBAL ID：201303038666860948

ターゲット、ターゲットの使用方法、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
丸山 哲紀

丸山 哲紀 について

, 
井本 裕己

井本 裕己 について

, 
佐藤 瞳

佐藤 瞳 について

, 
渡邊 正寛

渡邊 正寛 について

, 
増山 光男

増山 光男 について

, 
岡崎 健一

岡崎 健一 について

, 
中島 基

中島 基 について

, 
島津 貴志

島津 貴志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123954
公開番号（公開出願番号）：特開2013-144841
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を作製する。【解決手段】結晶構造が得られる組成比となるように、原料を混合して作製したc軸が上面の法線ベクトルに平行である結晶領域を有する酸化物半導体からなるスパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって酸化物半導体膜を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
c軸が上面の法線ベクトルに平行である多結晶を有する酸化物半導体材料、被形成領域またはc軸が上面の法線ベクトルに平行である結晶領域を有する酸化物半導体材料またはc軸が上面の法線ベクトルに平行である単結晶を有する酸化物半導体材料、のいずれかからなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C04B 35/00 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  C04B35/00 J ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618B
Fターム (115件)：
4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA14 ,  4G030AA18 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030CA02 ,  4G030CA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA19 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM05 ,  5F110HM14 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM