特許
J-GLOBAL ID：201303058156959150

積層型集積回路の腐食制御

発明者：
シチン・グ

シチン・グ について

, 
マシュー・ノーウォク

マシュー・ノーウォク について


出願人/特許権者：
クゥアルコム・インコーポレイテッド

クゥアルコム・インコーポレイテッド について


代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-034604
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138239
出願日： 2013年02月25日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】腐食性の要素(または少なくとも酸化剤)が、積層型ICデバイスの2つのレイヤの間の界面の金属接続に接することを防止する。【解決手段】2つのレイヤ101,102が互いに近接して配置された時、2つのレイヤ101,102の表面の境界にギャップ120が形成される。このギャップ120は、レイヤ間の周辺封止部110,113によって区画される。一実施形態では、ギャップ120内に真空が形成され、これによってギャップ120内の腐食性の環境を低減する。別の実施形態では、このギャップ120は、アルゴンのような不活性ガスにより充填される。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
互いにその表面に沿って接着され、それぞれが少なくとも一つのアクティブ素子を備える第1及び第2ティア(tiers)と、 前記表面のうちの接着された一つの周辺縁部を取り囲む環境封止部と を備える積層型半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 27/00 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L27/00 301B ,  H01L25/08 B
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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