特許
J-GLOBAL ID：201303058380446533
積層半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138908
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191893
出願日： 2013年07月02日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】いずれの接合段階の後にも、識別標識を用いた積層半導体装置の製造管理をすることができる積層半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体基板120、150を積層して接合する積層半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体基板120、150を順次、接合する接合段階と、前記複数の半導体基板120、150を識別するバーコード124、154を、いずれの接合段階の後にもいずれかの前記バーコード124、154が露出するように、前記接合段階に先立って前記複数の半導体基板120、150に配する指標配置段階と、を備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
二つの半導体基板を積層して接合することにより積層半導体装置を製造する方法であって、
前記二つの半導体基板をそれぞれ識別する識別指標を前記二つの半導体基板にそれぞれ配する指標配置段階と、
前記二つの半導体基板を互いに接合する接合段階とを有し、
前記指標配置段階では、前記接合段階で接合された前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が露出するように、前記二つの半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配し、
前記接合段階の後に露出した前記識別指標に対応付けて、前記積層半導体装置に関する情報を管理する情報管理段階をさらに有し、
前記指標配置段階は、前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が前記接合段階の後に露出するように、前記接合段階に先立って前記二つの半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配し、
前記接合段階は、前記識別指標が配された他の半導体基板を前記二つの半導体基板のいずれかに接合する段階を含み、
前記指標配置段階では、複数の前記半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標がいずれかの前記接合段階の後に露出するように前記複数の半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配し、
前記指標配置段階では、いずれの前記接合段階の後にも露出する面を有する一の前記半導体基板の当該面に前記識別指標を配する積層半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/00
H01L25/08 B
, H01L23/00 A
, H01L25/08 Z
出願人引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-098384
出願人：沖電気工業株式会社
審査官引用 (7件)
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