特許
J-GLOBAL ID：201303060978741615
半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
, 福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-233850
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140944
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】 低誘電率、高エッチング耐性、高リーク耐性の特性を備える薄膜を形成する。 【解決手段】 基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い第1の反応ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、所定元素、窒素および炭素を含む第1の層を形成する工程と、基板に対して原料ガスおよび第1の反応ガスとは異なる第2の反応ガスを供給することで、第1の層を改質して第2の層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い第1の反応ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、前記所定元素、窒素および炭素を含む第1の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記原料ガスおよび前記第1の反応ガスとは異なる第2の反応ガスを供給することで、前記第1の層を改質して第2の層を形成する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F058BA02
, 5F058BA06
, 5F058BA07
, 5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BC08
, 5F058BC10
, 5F058BC12
, 5F058BF02
, 5F058BF04
, 5F058BF22
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BG03
, 5F058BG04
, 5F058BJ02
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
