結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-077487
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175747
出願日： 2013年04月03日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】キャリア濃度が低く、ホール移動度が高く及びエネルギーバンドギャップが大きい結晶酸化物半導体を提供する。【解決手段】インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たし、ビックスバイト型結晶構造を示す多結晶酸化物である、結晶酸化物半導体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、 X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たし、ビックスバイト型結晶構造を示す多結晶酸化物である、結晶酸化物半導体。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/363

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L21/363

Fターム (55件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD28 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF09 , 4M104FF26 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103PP03 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110NN03 , 5F110NN13 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27

引用特許：

出願人引用 (11件)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059905 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
導電性透明基材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132030 出願人：出光興産株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-334501 出願人：出光興産株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061985 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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